TSMC、4nmと3nmプロセスノードの進捗を発表

5nmファミリーのN4(4nm)は、性能、電力効率、トランジスタ密度をさらに向上させるとともに、設計ルールにN5との互換性もあります。当社のN4は、Technology Symposium 2020で発表されて以来、順調に開発が進んでおり、2021年Q3(7～9月)にはリスク生産を予定しています。

N3(3nm)テクノロジーは2022年後半の量産開始時には、世界最先端のテクノロジーとなることが期待されています。N3テクノロジーは実績あるFinFETトランジスタアーキテクチャを採用し、最高の性能、電力効率、コスト効率を実現します。N3テクノロジーは、N5テクノロジーと比較して、最大15％の速度向上、最大30％の消費電力削減を実現し、ロジック密度は最大70％増加します。